Перевод: со всех языков на русский

с русского на все языки

tension maximale drain-source

См. также в других словарях:

  • максимально допустимое напряжение сток-исток — Обозначение UСИmax UDSmax Примечание Под максимально допустимыми параметрами понимают значения конкретных режимов транзистора, которые потребитель не должен превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная… …   Справочник технического переводчика

  • Transistor à effet de champ — Circuit électronique avec transistor à effet de champ Un transistor à effet de champ (FET pour Field Effect Transistor) est un dispositif semiconducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d utiliser un champ électrique pour… …   Wikipédia en Français

  • Transistor a effet de champ — Transistor à effet de champ Circuit électronique avec transistor à effet de champ Un transistor à effet de champ (FET pour Field Effect Transistor) est un dispositif semiconducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d utiliser un …   Wikipédia en Français

  • HYPERFRÉQUENCES — D’après la définition la plus couramment admise, les hyperfréquences représentent des ondes électromagnétiques dont la longueur d’onde est de l’ordre du centimètre, et que l’on utilise notamment en technique radar et en transmission hertzienne.… …   Encyclopédie Universelle

  • COMFET — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …   Wikipédia en Français

  • GEMFET — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …   Wikipédia en Français

  • IGBT — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …   Wikipédia en Français

  • Insulated Gate Bipolar Transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …   Wikipédia en Français

  • Insulated gate bipolar transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …   Wikipédia en Français

  • Transistor bipolaire a grille isolee — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …   Wikipédia en Français

  • Transistor bipolaire à grille isolée — Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique, principalement …   Wikipédia en Français

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»